продукты

Дом > продукты > Антидроновый модуль GaN > Модуль усилителя мощности 10 Вт 2100-2200 МГц GaN RF с встроенным циркулятором для помех БПЛА

Категории

Модуль LDMOS против беспилотных летательных аппаратов 10 Вт

(11)

Модуль 30 Вт против беспилотных летательных аппаратов

(10)

Модуль 40 Вт против беспилотных летательных аппаратов

(11)

Модуль противодрона мощностью 100 Вт GaN

(11)

Jammer сигнала мобильного телефона

(6)

Портативный пеликанский джаммер

(10)

Детектор дронов

(8)

Контакты

Контакты: Mr. Barry

Телефон: 86--15361056787

Контакт теперь

Перешлите нас

Модуль усилителя мощности 10 Вт 2100-2200 МГц GaN RF с встроенным циркулятором для помех БПЛА

Детали продукта

Фирменное наименование: NENGXUN

Условия оплаты & доставки

Количество мин заказа: 1

Цена: 50USD

Время доставки: 4-7ДЕНЬ

Условия оплаты: ,Т/Т,Вестерн Юнион,Д/П,Д/А,Л/К

Поставка способности: 10000

Получите самую лучшую цену

Детали продукта

Характер продукции

Выделить: 
                                                10 Вт GaN RF модуль усилителя мощности, 2100-2200 МГц Антидроновый модуль, Модуль подавления БПЛА со встроенным циркулятором
                              

Модуль усилителя мощности 10 Вт 2100-2200 МГц GaN RF с встроенным циркулятором для помех БПЛА

10W 2100-2200MHz GaN Модуль усилителя мощности для беспилотных летательных аппаратов с встроенным циркулятором

Передний вид модуля усилителя мощности 10 Вт GaN RF

Боковой вид, показывающий управление тепловой энергией и возможности установки

Обзор продукции

Этот высокопроизводительный модуль усилителя мощности 10W GaN RF специально разработан для применения беспилотных летательных аппаратов (БПЛА).С передовой технологией галлиевого нитрида и интегрированным циркулятором, этот модуль обеспечивает надежные возможности нарушения сигнала в диапазоне частот 2100-2200 МГц.

Ключевые особенности

• 10 Вт выходной мощности для эффективного нарушения сигнала БПЛА

• диапазон частот 2100-2200 МГц

• Передовая технология GaN для повышения эффективности и тепловых характеристик

• Встроенный циркулятор для повышения защиты системы

• Конструкция компактного модуля для легкой интеграции

• Прочная конструкция для промышленных применений

Технические спецификации

Параметр	Спецификация
Диапазон частот	2100-2200 МГц
Выходная мощность	10 Вт
Технологии	GaN (нитрид галлия)
Интегрированный компонент	Встроенный циркулятор
Применение	Системы интерференции БПЛА

Промышленное применение:Этот модуль усилителя мощности RF предназначен для систем противодействия БПЛА,предоставление надежных возможностей помех сигналов для применения в области безопасности и обороны, когда необходимо смягчить несанкционированную деятельность беспилотных летательных аппаратов;.

Tags:

Антидроновый модуль GaN

Модуль LDMOS против беспилотных летательных аппаратов 10 Вт

20 Вт антидроновый модуль GaN

Модуль 30 Вт против беспилотных летательных аппаратов

Модуль 40 Вт против беспилотных летательных аппаратов

50 Вт антидроновый модуль GaN

Модуль противодрона мощностью 100 Вт GaN

Антидроны

модуль усилителя rf

Серия 4Ghz-18Ghz

Серия 9K-500M

Серия 20-1000 МГц

Серия 500-3 ГГц

Серия 2000-6000 МГц

Jammer сигнала мобильного телефона

Портативный пеликанский джаммер

jammer тюрьмы

Детектор дронов

Модуль усилителя мощности 10 Вт 2100-2200 МГц GaN RF с встроенным циркулятором для помех БПЛА

10 Вт GaN RF модуль усилителя мощности

2100-2200 МГц Антидроновый модуль

Модуль подавления БПЛА со встроенным циркулятором

Advanced Mobile Anti Drone Module GaN,

3km Strike Anti Drone Module GaN,

Антидроновый модуль GaN

Антидроны

модуль усилителя rf

Jammer сигнала мобильного телефона

Jammer сигнала Wifi

Портативный пеликанский джаммер

jammer тюрьмы